- 作者：秉宗卓
- 来源：给小狗录鼻纹
- 发布时间：2026-05-23
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中国团队重要突破！将为芯片技术自主可控提供关键材料_蜘蛛资讯网
刊《国家科学评论》。 据介绍，原子级厚度的二维半导体因迁移率高、带隙可调、栅控能力强，被视为后摩尔时代芯片材料的核心候选。然而，晶格缺陷诱导的自发电子掺杂和费米能级钉扎效应，使现有二维半导体材料体系长期呈现N型材料多、P型材料少，以及N型材料性能好，P型材料性能差的结构性失衡问题。 针对上述问题，研究团队建立了以液态金/钨双金属薄膜为衬底的化学气相沉积方法，实现了晶圆级、掺杂可调的单层氮化钨硅
是Josh Tiven （58号）和Mitchell Ervin（27号），替补裁判为Tre Maddox（23号）。
合性能在同类二维材料中表现突出。 该研究结果表明，单层氮化钨硅在二维半导体CMOS集成电路中具有广阔的应用前景，有望为后摩尔芯片技术开辟新的途径。（文章来源：科技日报）
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